AI芯天下 | 长江存储将宣布第二代Xtacking 3D NAND架构__凤凰网

作者:admin    文章来源:未知    点击数:    更新时间:2019-09-03 22:58

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自2018年以来,闪存价格不息下滑,主要是原由64层及72层3D芯片的供答增补,市场预期96层3D NAND的全球产量将自2019第二季开起扩大,这能够将会为今年的SSD市场与价格带来更众变数。所以,主要NAND厂商已经开起放慢产能膨胀的步伐。然而在市场周期性震动中,对技术研发的不息投入和迭代升级是保持竞争上风的关键,新一代96层3D NAND量产的脚步未见减慢,各大存储厂商正着力推动96层3D NAND技术的主流化,展望到2020年将通俗通俗。

长江存储外示,相比上一代技术,Xtacking®2.0的开发做事更必要与客户、走业配相符友人和走业标准机构的周详配相符。

据悉亚美国际娱乐,今天官宣的Xtacking®2.0将足够行使Xtacking®架构上风亚美国际娱乐,经历进一步升迁NAND吞吐速率、升迁编制级存储的综相符性能、开启定制化NAND崭新商业模式等方面的改进为客户带来更众价值。异日搭载Xtacking® 2.0技术的长江存储第三代产品将被通俗行使于数据中央亚美国际娱乐,企业级服务器、幼我电脑和移动设备等周围,并将开启高性能、定制化NAND解决方案的崭新篇章。

长江存储64层3D NAND闪存就是全球始款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高的存储密度。按照先前的原料,如现代界上最快的3D NAND的I/O速度现在的值是1.4Gbps,大无数NAND供答商仅能供答1.0Gbps或更矮的速度。而行使Xtacking®技术,有看大幅升迁NAND的I/O速度到3.0Gbps,升迁三倍旁边。Xtacking®技术的研发成功和64层3D NAND闪存的批量生产标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。

Xtacking®是长江存储在往年FMS(闪存技术峰会)始次公开的3D NAND架构,w66利来最老牌荣获以前“Best of Show”奖项。其稀奇之处在于,采用Xtacking®,可在一片晶圆上自力添工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。云云的添工手段有利于选择正当的先辈逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更众的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被自力添工。当两片晶圆各自落成后,创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可经历数十亿根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键相符接通电路,带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期,而且只增补了有限的成本。

异日,但愿长江存储在升迁NAND层数的同时,能抓住自立闪存架构上的上风,亚美国际娱乐添速产品迭代,推动吾国存储器产业跨越式发展。

紫光集团旗下长江存储科技有限义务公司(以下简称“长江存储”)今日宣布,将在其第三代3D NAND闪存中行使Xtacking®2.0,有关技术概念将在即将举办的IC China 2019上进走介绍。这是今天长江存储宣布中国始款64层3D NAND闪存始次亮相之后,发布的另一重磅新闻。

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除了冲击更高的NAND堆栈层数外,各大存储厂商也纷纷挑出了新一代闪存方案,SK海力士的“4D NAND”、美光的“CuA”和长江存储的“Xtracking®”是主要代外。其中,长江存储的Xtracking ®架构能使存储单元面积比重从传统架构的65%升迁至90%,在联相符堆栈层数下较SK海力士和美光升迁的存储密度更高,是吾国在存储器周围壮大技术突破之一。

在传统3D NAND架构中,外围电路约占芯单方积的20~30%,降矮了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路能够会占到芯片整相符适积的50%以上。而长江存储的Xtacking®技术将外围电路置于存储单元之上,外围电路和存储单元是2片晶圆,2颗裸芯片的大幼是相通的,这就意味着其CMOS可用面积广大于其他传统3D NAND架构,从而实现更高的存储密度,撙节出来的CMOS局部,除了限制电路,也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化挑供了无限能够。

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  来源:篮球实录

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